研究用高纯度硅晶片 研究用高純度シリコンウェハー WAFER

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作为研究・开发用途有一定实际业绩,供应从少量起步的采用高纯度材料的晶片。其他
¥490.00

其他

规格

  • 制造方法:CZ法
  • 平面方位:100
  • OF位置:110
  • 电阻值:0.1~100Ω・cm ※低电阻:≦0.02Ω・cm、高电阻:≧500Ω・cm
  • 粒子:2-960-01~08/不论粒子、 2-960-51~62/≧0.3um、10个以下

型号

图片编号尺寸(英寸)×传导类型OF长(mm)×晶片厚度(um)数量
2-960-012×P型17.5±2.5×280±251片
2-960-022×N型17.5±2.5×280±251片
2-960-033×P型22.5±2.5×380±251片
2-960-043×N型22.5±2.5×380±251片
2-960-054×P型32.5±2.5×525±251片
2-960-074×P型(低电阻)32.5±2.5×525±251片
2-960-084×P型(高电阻)32.5±2.5×525±251片
2-960-064×N型32.5±2.5×525±251片

规格与参数

2×P型

图片
编号
2-960-01
尺寸(英寸)×传导类型
2×P型
OF长(mm)×晶片厚度(um)
17.5±2.5×280±25
数量
1片

2×N型

图片
编号
2-960-02
尺寸(英寸)×传导类型
2×N型
OF长(mm)×晶片厚度(um)
17.5±2.5×280±25
数量
1片

3×P型

图片
编号
2-960-03
尺寸(英寸)×传导类型
3×P型
OF长(mm)×晶片厚度(um)
22.5±2.5×380±25
数量
1片

3×N型

图片
编号
2-960-04
尺寸(英寸)×传导类型
3×N型
OF长(mm)×晶片厚度(um)
22.5±2.5×380±25
数量
1片

4×P型

图片
编号
2-960-05
尺寸(英寸)×传导类型
4×P型
OF长(mm)×晶片厚度(um)
32.5±2.5×525±25
数量
1片

4×P型(低电阻)

图片
编号
2-960-07
尺寸(英寸)×传导类型
4×P型(低电阻)
OF长(mm)×晶片厚度(um)
32.5±2.5×525±25
数量
1片

4×P型(高电阻)

图片
编号
2-960-08
尺寸(英寸)×传导类型
4×P型(高电阻)
OF长(mm)×晶片厚度(um)
32.5±2.5×525±25
数量
1片

4×N型

图片
编号
2-960-06
尺寸(英寸)×传导类型
4×N型
OF长(mm)×晶片厚度(um)
32.5±2.5×525±25
数量
1片
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